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專利類型 專利國別
(專利申請國家)
專利申請案號 專利證號 專利獲證名稱 專利所屬機關
(申請機關)
獲證日期
發明 中華民國 091115624 182773 一種在砷化鎵半導體上的蕭基(Schottky)結構 國立交通大學 2003/07/01
新型 日本 實願2003-000806 3096298 具殺菌功能之刮鬍刀 長庚大學 2003/06/25
發明 中華民國 089115121 182117 壓電薄片型運動感應裝置及方法 國立臺灣大學 2003/06/21
發明 中華民國 090131075 I 179971 奈米級(nanoscale)YAG螢光粉體之製造方法 國立成功大學 2003/06/21
發明 中華民國 091114156 182016 具有機絕緣層之金屬-絕緣體-半導體結構 國立中山大學 2003/06/21
發明 中華民國 091111960 180781 具零導電帶不連續值之磷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵異質接面雙極性電晶體 國立成功大學 2003/06/21
發明 中華民國 087116990 I 180801 α-澱粉水解酵素之3′不轉譯區域 中央研究院 2003/06/21
發明 中華民國 091115746 I 181602 薄膜電晶體結構及其製造方法 國立交通大學 2003/06/21
發明 中華民國 091105253 I 180682 金氧半場效電晶體之結構 國立交通大學 2003/06/11
發明 中華民國 090112725 180617 製作低溫超塑性AZ91鎂合金之簡易高擠型比擠型法 國立中山大學 2003/06/11
發明 中華民國 091109724 179797 改善發光二極體之電流分布 國立成功大學 2003/06/11
發明 中華民國 091121297 I 182739 微流體之網路式微通道裝置 國立清華大學 2003/06/11
發明 歐洲國家 ITRC 20218757.8 低電壓驅動照明防偽辨識及指示之發光裝置 財團法人國家實驗研究院 2003/06/02
發明 中華民國 091110063 I 178646 半導體元件之底部抗反射層 財團法人國家實驗研究院 2003/06/01
發明 中華民國 091121416 I 180026 掩埋場現地滲透水監測方法 國立高雄應用科技大學 2003/06/01


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