具零導電帶不連續值之磷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵異質接面雙極性電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091111960

專利證號

180781

專利獲證名稱

具零導電帶不連續值之磷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵異質接面雙極性電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2003/06/21

技術說明

磷化鎵銦/砷化鎵異質接面雙極性電晶體由於特有的高速操作及電 流承載能力，使其在微波功率及數位電路的應用上已引起顯著的成效 及 注意。雖然磷化鎵銦/砷化鎵異質介面導電帶不連續值僅有120mV (200~30mV)，但此一導電帶不連續值所造成之位障尖峰仍會影響元件 之 電流-電壓特性，造成較大的集-射極補償電壓與較大的基-射極導通電 壓。於本發明案中，吾人首度提出一呈現低導通電壓、低補償電壓、 低 飽和電壓等良好電晶體特性之[具零導電帶不連續值之磷化鎵銦/砷化 鎵 鋁/砷化鎵異質接面雙極性電晶體]。該結構主要特徵即為結合下列各 項 材料優異之特性：（1）於晶格常數限制下，砷化鎵鋁化合物之鋁莫爾 分 率可以線性漸變方式做適度之調整，（2）磷化銦鎵與砷化鎵材料之高 蝕 刻選擇度與較低之介面陷阱中心密度，（3）當砷化鋁鎵化合物之鋁莫 爾 分率為0.11時，Al0.11Ga0.89As與In0.49Ga0.51P異質材料之導電帶不 連 續值為0。 InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT’s) have shown promise in the field of microwave power application. Although the typical magnitude of conduction- band discontinuity,

備註

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