半導體元件之底部抗反射層

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091110063

專利證號

I 178646

專利獲證名稱

半導體元件之底部抗反射層

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/06/01

技術說明

本發明係於一半導體底材上，覆蓋一氮化矽或一氮氧化矽層並搭配一氧化矽層，作為微影時 之底部抗反射層，可有效使各種常用之高反射率底材的真空紫外光反射率降至2%以下，且其 覆蓋光阻後之擺動效應也明顯下降。另外，本發明亦可防止以氮化矽或氮氧化矽組成之單層 底部抗反射層易釋出鹼性物質所造成光阻足化之現象。

備註

1. 計畫來源：科技部公務預算-奈米元件研究與技術人才培育服務計畫（計畫主持人：施敏） 2. 發明人：陳學禮、莊怡芬、李正中、謝忠益、柯富祥、黃調元 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址