發光裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111102433

專利證號

I 818418

專利獲證名稱

發光裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2023/10/11

技術說明

本發明為基於雷射激發單晶螢光晶體之超高輝度光源設計，主要光學元件包括單晶螢光晶體、反射層、雷射光源，在一為長方體的單晶螢光晶體的周圍設有反射層，目的為盡可能地將激發轉換後的光能透過反射層將其壓縮在一個極小的空間後，將其引導至出光面出光，使其能在極小的發光面積下發光，並利用雷射偏振的特性，將高功率藍光雷射二極體以會產生布魯斯特角的角度入射至晶體，以此減少界面反射，提升發光效率，且由於單晶螢光晶體高折射率的特性，激發轉換後的光容易在晶體內部產生全反射，導致發光效率降低，所以在出光面表面，本設計增加了微結構來破壞全反射，以此提升光萃取效率。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址