二維層狀薄膜結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111137596

專利證號

I 818756

專利獲證名稱

二維層狀薄膜結構

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2023/10/11

技術說明

本技術研發出新穎二維層狀結構石墨烯薄膜材料，可應用於單晶三族氮化物奈米柱與二維過渡金屬二硫族化物之成長與基板分離，使得單一或複合式奈米柱陣列結構可以轉置到任意基材，具極佳透光性、可撓性、與元件整合性，可應用於可撓式元件、MicroLED、3DIC、奈米柱元件、垂直型二維材料光電元件等元件製備。此外，新穎二維層狀結構石墨烯薄膜材料，因為表面形貌平坦，可應用於成長或轉置於各式薄膜材料，容易與產業整合。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址