ArF及F2微影術的雙層底抗反射層之結構及製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090128529

專利證號

I 165755

專利獲證名稱

ArF及F2微影術的雙層底抗反射層之結構及製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/10/11

技術說明

本發明提出一種ArF 及F2微影術的雙層底抗反射層之結構，適用於一基底，係包括：一KrF 微影術中使用的光阻設置於該基底上；以及一KrF微影術中使用的底抗反射層設置於該KrF微 影術中使用的光阻上。再者，本發明提出一種ArF 及F2微影術的雙層底抗反射層之製造方 法，適用於一基底，該方法包括下列步驟：於該基底上形成一KrF微影術中使用的光阻；以 及於該KrF微影術中使用的光阻上形成一KrF微影術中使用的底抗反射層。

備註

1. 計畫來源：科技部公務預算-奈米元件研究與技術人才培育服務計畫（計畫主持人：施敏） 2. 發明人：陳學禮、趙文祺、朱鐵吉、柯富祥、黃調元 本部(收文號1050055769)同意該院105年8月2日國研業字第1050102117號函申請終止維護專利24件(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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