超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜材料之電漿鍛燒製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

089125120

專利證號

145688

專利獲證名稱

超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜材料之電漿鍛燒製程

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2001/11/11

技術說明

一種應用於超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜之電漿鍛燒製程，係先配製含模板 (template)高分子之二氧化矽前驅物溶液，再將此前驅物溶液塗佈於矽基材上，然後進行氧 氣電漿鍛燒製程，將二氧化矽前驅物溶液中的模板高分子去除，以形成複數個毫微米孔洞， 而初步製作完成一具有超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜。後續之孔洞表面改質處 理，本發明使用HMDS改質劑蒸氣處理以及一低功率氫氣或氨氣等還原性氣體電漿處理，可以 有效地減少薄膜中碳含量與降低薄膜之介電常數及漏電流密度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址