氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造 方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

專利證號

169681

專利獲證名稱

氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造 方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2002/12/21

技術說明

以（ITO）銦錫氧化物作為透明電極的高響應特性氮化鎵金屬- 半導體-金屬型紫外光感測器，具有容易製造、高增益、高靈 敏、高響應速度等特性且製造過程中可和場效電晶體互相配 合，而把光感測器與放大電路坐在同一塊基板上，而達成所謂 光電積體電路（OEIC）的整合，我們藉著研製ITO透明導電層薄 膜找出最佳成長及回火的條件，使其透光度紫外波段可達 98﹪，故可用在高響應特性的MSM紫外光感測器，以取代原本使 用的不透光金屬層，而透過一系列以ITO為透明導電層的指叉狀 金屬-半導體-金屬紫外光感測器的研製，我們發現具有最大光 流（約1.2A）、光電流與暗電流感測範圍差高達5個數量級以及 在入射光波長為345nm、反向偏壓為5V及0.5V以下，其光響應度 分別為7.2A/W及0.9A/W，這是在以往傳統使用一般不透明光金 屬作為接觸所無法比擬的。 Indium-tin-oxide (ITO) layers were deposited onto n- GaN films and/or glass substrates by electron-beam evaporation. With proper annealing, we found that we can improve the optical properties of the ITO layers and achieve a maximum transmittance of 98% at 360nm. GaN- based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors with ITO transparent contacts were also fabricated. It was found that we can achieve a maximum 0.12A photocurrent with a photo current to dark current contrast higher than five orders of magnitude during UV irradiation for the 600℃ annealed photodetector. We also found that the maximum photo responsivity at 345nm is 7.2 A/W and 0.9 A/W when the detector is biased at 5V and 0.5V, respectively, for such a detector.

備註

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