半導元件之雙鑲嵌結構製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090013

專利證號

169484

專利獲證名稱

半導元件之雙鑲嵌結構製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/01/01

技術說明

本發明揭示一種高密度電漿化學氣相沉積形成低介電常數薄膜之方法，包括下列步驟：提供 一基底；於上述基底上依序形成一阻障層以及一金屬導線層；蝕刻上述阻障層及上述金屬導 線層以定義出複數個金屬導線；以及施行高密度電漿化學氣相沈積製程以形成碳化矽類薄膜 覆蓋住上述等金屬導線。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址