Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

17/317,766

專利證號

US 11,785,778 B2

專利獲證名稱

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2023/10/10

技術說明

一種以鐵電材料作為閘極絕緣層之非揮發型半導體記憶體元件，應用於類神經網路電路陣列，係人工智慧加速晶片之一部份。此新型之記憶體元件擁有獨立操控之雙閘極之結構，並在單顆元件上同時具有選擇元件以及儲存資料的功能，改良傳統鐵電電晶體元件應用於記憶體陣列，將增加單位面積所能儲存的資訊。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址