薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111134512

專利證號

I 814578

專利獲證名稱

薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/09/01

技術說明

本發明提出在非真空環境下製作下閘極式薄膜電晶體及上閘極式薄膜電晶體的方法。藉由非真空鍍膜技術在基板上形成導電氧化物、半導體氧化物、絕緣氧化物等薄膜，分別作為薄膜電晶體之電極(閘極、汲極/源極)、通道層、閘極絕緣層及表面鈍化層。搭配使用黃光微影及濕蝕刻製程，能夠在非真空環境下完成薄膜電晶體之製造。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址