互補式金氧半場效電晶體製程之潔淨方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090004

專利證號

168078

專利獲證名稱

互補式金氧半場效電晶體製程之潔淨方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/12/01

技術說明

本發明提出一種互補式金氧半場效電晶體製程之潔淨方法，包括下列步驟：提供一單一化學 洗淨溶液，其中該化學洗淨溶液之配方為在NH4OH:H2O2:H2O=0.01-1:1:5 中加入 0.001-0.1 之TMAH 及10-200 ppm之EDTA；以及使用該化學洗淨溶液應用於互補式金氧半場效電晶體之 各洗淨製程中。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址