製造單電子電晶體的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090008

專利證號

159758

專利獲證名稱

製造單電子電晶體的方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/07/11

技術說明

一種製造單電子電晶體的方法，此方法係包括：將奈米粒子形成於至少具有二電極的基板 上，再利用去氧核醣核酸作為奈米粒子的連結劑已形成奈米粒子鍊，用以連結二電極。本發 明之方法可準確控制於源極與汲極間奈米粒子鍊之長度。此外亦可簡易用以控制相鄰奈米粒 子間之距離，進而可製造具不同特性之單電子電晶體，具產業應用價值。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址