Low-Voltage Content-Addressable-Memory Cell with a Fast Tag-Compare Capability Using Parttially-Depleted SOI CMOS Dynamic-Threshold Techniques

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/597,275

專利證號

US6,240,004B1

專利獲證名稱

Low-Voltage Content-Addressable-Memory Cell with a Fast Tag-Compare Capability Using Parttially-Depleted SOI CMOS Dynamic-Threshold Techniques

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2001/05/29

技術說明

適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶體雙 埠記 憶單元電路

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址