電漿處理之阻障層之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090006

專利證號

164468

專利獲證名稱

電漿處理之阻障層之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/10/01

技術說明

本發明提出一種電漿處理之阻障層之製造方法，形成積體電路製程中之阻障層，以阻絕銅 金屬化製程時銅金屬之擴散。本方法透過在物理氣相沉積耐火金屬層(鉭 (Ta)、鈦 (Ti)、 鉬 (Mo)、鉻 (Cr) 、鈮 (Nb)、釩 (V) 、錸 (Re) )後，藉由氮(氧)化 (N2，NH3，N2O， NO，O2)電漿表面處理，於原先之耐火金屬層上形成一微晶質化 (nanocrystalline)之氮 (氧)化金屬層 (TaNxOy，TiNxOy，…..等)，而形成Ta/TaNxOy，Ti/TiNxOy，…等層狀結 構，此層狀結構具有與原先單層金屬層相當接近之電阻值，而有遠較一般反應式濺鍍沉積之 耐火金屬氮化物層(TaN，TiN，…等)低之電阻率，復由於經氮(氧)化電漿表面處理後，乃形 成一微晶質化之氮(氧)化金屬表層，因此較多晶結構之擴散阻障層具備有更佳之擴散阻障效 果。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址