具有副閘極及蕭特基源/汲極之薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

89006

專利證號

US6555424B2

專利獲證名稱

具有副閘極及蕭特基源/汲極之薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/04/29

技術說明

一種具有副閘極及蕭特基源/汲極之薄膜電晶體及其製造方法，可將傳統 之源/汲極佈植摻雜、及後續的回火步驟予以省略，而降低複雜度及成 本，且有利於製程之低溫化。本發明之副閘極及蕭特基源汲極之薄膜電 晶體，只須調整副閘極之偏壓，即可以在同一電晶體元件上，展現n型與 p型通道兩種運作模式；此外利用對副閘極偏壓，以感應形成電性接面， 以等效取代傳統之源/汲極延伸區；故可降低截止漏電流。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址