n型薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090104661

專利證號

150173

專利獲證名稱

n型薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/02/01

技術說明

一種n型薄膜電晶體及其製造方法，此n型薄膜電晶體的源/汲極為由金屬 組成，並係利用電漿氫化處理來使氧化物層內靠近通道層之界面處形成 一帶正電之固定電荷層，以於通道層之補償（offset）區內自動感應一 負電荷層來當作延伸源/汲極（extension source/drain）。因此，可省 去源/汲極之摻雜步驟以及後續之回火程序，而達到簡化製程、降低成本 的效果，並有利於製程之低溫化。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址