晶圓清洗及乾燥方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110129815

專利證號

I 812996

專利獲證名稱

晶圓清洗及乾燥方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/08/21

技術說明

一種晶圓清洗及乾燥方法，用以解決習知晶圓清洗及乾燥製程導致晶圓上的電晶體微結構內縮倒塌的問題。係包含：一傾斜步驟，將一待工元件傾斜，使該待工元件之一加工面朝上，且該加工面與水平面夾一傾斜角度；一沖洗步驟，將一清洗液注入於該加工面；及一乾燥步驟，提高該待工元件周遭的環境溫度，使停留在該加工面上的該清洗液揮發。 A method for cleaning and drying wafer is provided to solve the problem that the conventional process of cleaning and drying wafer causes collapsing of the microstructure of transistor on the wafer. The method includes an obliquing step, a washing step and a drying step. The obliquing step is tilting a processing component so that a processing surface of the processing component is face up. The processing surface and horizontal plane have an inclination angle. The washing step is injecting a cleaning solution into the processing surface. The drying step is increasing ambient temperature around the processing component to volatilize the cleaning solution staying on the processing surface.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址