Capacitor containing amorphous and polycrystalline ferroelectric films and method for forming amorphous ferroelectric film

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/884,029

專利證號

US 6,514,814 B2

專利獲證名稱

Capacitor containing amorphous and polycrystalline ferroelectric films and method for forming amorphous ferroelectric film

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/02/04

技術說明

本發明係關於一種薄膜電容元件，尤具有關一種具有一非晶態鐵電薄膜/一多晶態鐵電薄膜作為電容介電物質的薄膜電容元件。本發明亦有關一種以濺鍍方式形成該非晶態鐵電薄膜的方法。該多晶態鈦酸鋇鍶薄膜具有一高介電常數被作為該薄膜電容元件的電介層;而該非晶態鈦酸鋇鍶薄膜則被作為一緩衝層，以抑制該薄膜電容元件的漏電流。該非晶態鈦酸鋇鍶薄膜係藉由濺鍍而製備，包括將一工作氣體(例如氬氣)及一反應氣體(例如氧氣)引入一反應製程腔體內，及於室溫下產生一電漿。 ferroelectric thin films and textured ferroelectric thin films

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址