利用掃描式探針顯微鏡微影技術製造奈米結構與元件的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090003

專利證號

160712

專利獲證名稱

利用掃描式探針顯微鏡微影技術製造奈米結構與元件的方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/08/01

技術說明

本發明提供一種利用掃描式探針顯微鏡微影技術製造奈米結構與元件的方法，其係藉由掃描 式探針顯微鏡微影，主要運用外加偏壓於探針或基底上，將矽、氮化矽氧化成氧化物圖形， 可以進行加成(additive)或減去(subtraction)製程以形成所需之結構。因為掃描式探針顯 微鏡之探針尺寸極小(理想條件下為原子尺度大小)，而形成之氧化物圖形可小至小於20奈 米。再將此氧化物去除後，利用化學氣相沉積在此去除氧化物後所遺留之氮化矽缺口成長奈 米級直徑之矽磊晶，接著再用熱氧化使此磊晶周圍氧化而形成奈米結構之浮閘，其製程新 穎、簡單且實用，可製作單一浮閘或可控制浮閘數量與位置排列之奈米級電晶體。本發明未 來可應用於單電子電晶體之製作，故極具產業應用價值。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址