具有複合式摻雜通道之異質結構場效電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

專利證號

158646

專利獲證名稱

具有複合式摻雜通道之異質結構場效電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2002/07/01

技術說明

(1) 採用n+-In0.2Ga0.8As/n-GaAs複合式摻雜通道結構，利用 縮減砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)層的厚度以形成通道量子化效 應，這可以增加砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)通道層的有效能隙， 而砷化鎵(GaAs)層則可以增進元件在高電場下之操作能力，因 此可避免撞擊游離現象，而漏電流也可因此降低；(2) 利用大 能隙之磷化銦鎵(In0.49Ga0.51P)材料作為蕭特基接觸層及緩衝 層；上方之磷化銦鎵(In0.49Ga0.51P)層可提供元件良好之蕭特 基特性；下方之磷化銦鎵(In0.49Ga0.51P)層可抑制從基板漏失 之基板漏電流，使元件具有良好的夾止特性；(3) In0.49Ga0.51P/In0.2Ga0.8As、In0.49Ga0.51P/GaAs界面間大 的導電帶不連續度(ΔEC)可以有效的將載子侷限在複合式通道 層內，因此即使在高溫環境下本發明元件依然可保有良好之元 件特性。根據以上所述優點，相信本發明之結構，不僅可以得 到良好的場效電晶體特性，並可進一步應用於未來高頻微波通 訊電路中；另一方面，在外太空勘查、自動控制、及地底探測 等系統設備中，本結構亦提供了一良好的選擇。 In this invention, we propose a newly designed composite doped channel (CDC) heterostructure field- effect transistor (HFET) for high-performance applications. Generally, in GaAs based HFETs, it is favorable to use an InGaAs layer to replace the GaAs as a channel layer due to its higher mobility, peak electron velocity, and lower effective mass.......

備註

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