半導體元件之電子束微影法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091002

專利證號

173889

專利獲證名稱

半導體元件之電子束微影法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/03/21

技術說明

半導體元件之電子束微影法 本發明揭示一種半導體元件之微影法，其係利用電子束對化學增幅性光阻進行曝光，藉由電 子束較長的聚焦深度之特性，可有效地克服由於半導體元件高低差所產生之聚焦問題。且該 增幅型光阻經顯影後，可加熱使其流動，用以縮小原來所定義之圖案尺寸，因而可輕易地製 作出臨界尺寸為100奈米甚至50奈米以下之圖案，以符合下一世代微影之需求。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址