具夾層結構之阻障層之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

089122418

專利證號

152855

專利獲證名稱

具夾層結構之阻障層之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/03/01

技術說明

本發明提出一種具薄夾層之氮化金屬層 (氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢) 結 構，作為積體電路製程中之阻障層，以阻絕銅金屬化製程時銅金屬之擴 散。本方法透過在傳統之氮化金屬層沉積時，藉由薄金屬層 (鈦、鉭、 鎢) 或氮氧化金屬層 (氮氧化鈦、氮氧化鉭、氮氧化鎢)之介入，而將原 氮化金屬層一分為二、三或四等。就晶體結構而言，由於晶體結構上之 較大差異，此薄夾層可將原單一氮化金屬層柱狀晶體結構之連續性破 壞，而呈現多層晶界相互錯開氮化金屬層，延長並轉折銅金屬之擴散路 徑，降低銅金屬之擴散破壞。氮化金屬層、金屬層及氮氧化金屬層可透 過濺鍍製程時濺鍍氣氛之改變，而在同一沉積系統內進行。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址