MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE WITH GRAPHENE AND BLACK PHOSPHOROUS LAYERS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SILICON PHOTONIC CIRCUIT INCLUDING THE MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

17/129,932

專利證號

US 11,769,859

專利獲證名稱

MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE WITH GRAPHENE AND BLACK PHOSPHOROUS LAYERS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SILICON PHOTONIC CIRCUIT INCLUDING THE MID-INFRARED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2023/09/26

技術說明

一種中紅外線發光二極體，包括沿中紅外線發光二極體的厚度方向依序設置的石墨烯下電極層、黑磷層以及石墨烯上電極層，其中黑磷層接觸石墨烯下電極層以及石墨烯上電極層。另提供一種中紅外線發光二極體的製造方法、矽光子電路及其製造方法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址