形成銅活化晶種層的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

089114709

專利證號

144185

專利獲證名稱

形成銅活化晶種層的方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2001/10/11

技術說明

本發明提供一種形成銅活化晶種層的方法，其方法係於基底上形成鉭或 鈦金屬層做為阻障層後，將此阻障層置於含銅離子的無水極性有機溶劑 中，進行電化學氧化還原接觸置換後，銅離子會被還原而沈積於阻障層 上。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址