增強多孔性低介電膜抗氧電漿的製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091001

專利證號

173293

專利獲證名稱

增強多孔性低介電膜抗氧電漿的製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/02/21

技術說明

本發明提出一種增強多孔性低介電膜抗氧電漿的製程方法，可抑制銅導線與多孔性低介電材 料整合製程中光阻去除步驟時，氧氣體電漿對多孔性低介電膜特性的破壞。首先利用氫氧體 電漿的預處理步驟，可以將多孔性薄膜中的懸鍵鈍化，藉以穩定薄膜的介電特性，接著，利 用化學TMCS處理可將多孔薄膜內因氧氣電漿灰化過程後，薄膜內所產生的Si-OH鍵置換而取 代成低極性的organosolanes(-Si(CH3)3)鍵。如此，能夠有效地免除低介電常數材質在光阻 灰化過程後所引發的瞎窗現象。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址