鐵電場效電晶體製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091111381

專利證號

I 187079

專利獲證名稱

鐵電場效電晶體製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2003/01/30

技術說明

本案係指一種鐵電場效電晶體製造方法，其係應用於金屬/鐵電薄膜/絕緣層/半導體(MFIS) 結構的閘極電容元件製作上，該方法乃藉由在該絕緣層上沈積一鉍系鐵電薄膜，並經由一高 溫熱處理後，再鍍上一上電極層於該鉍系鐵電薄膜上，俾得致該鐵電場效電晶體結構。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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