超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜之製備

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

089125119

專利證號

149656

專利獲證名稱

超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜之製備

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2002/01/01

技術說明

一種製備超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜之方法，係先配製一 二氧化矽前驅物溶液，其中二氧化矽前驅物溶液中至少包含有一模板 (template)高分子以及改質劑，然後以旋轉塗佈的方式將二氧化矽前驅 物溶液塗佈於一矽基底上。接著，進行一鍛燒(calcination)製程，將模 板高分子去除以形成複數個規則排列之毫微米孔洞，便初步製作完成具 有低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜，其介電常數為2.50。進一步 以氫氣處理以及HMDS改質劑蒸氣處理對孔洞表面進行改質，豪微米孔洞 二氧化矽薄膜之介電常數可降至k=1.42~2.0。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址