化學機械研磨拋光製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110142995

專利證號

I 810714

專利獲證名稱

化學機械研磨拋光製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2023/08/01

技術說明

一種化學機械研磨拋光製程方法 ，其特徵係將氣體、腐蝕性氣體、電漿氣體或奈微米顆粒包覆進微氣泡或逆微胞內部， 添加至研磨液中，對晶圓或工件表面進行加工，微氣泡容易在液體中爆裂並在微小區域內產生瞬間高溫，以及一連串密集度高的微型震波，瞬間的微區高溫以及高密度震波有助於對晶圓或工件表面，進行更細緻的加工，並易於消除製程中產生的大型氣泡，減少研磨液濃度的浮動，以輔助穩定化學機械研磨拋光製程品質；其中，微氣泡內包覆之物質可為氣體、腐蝕性氣體、電漿氣體或奈微米顆粒等，有助於加工之材料，或以逆微胞形式出現。在上述化學機械研磨拋光製程中，可搭配電漿對加工區或研磨液進行改質，或產生液態電漿的加工處理；以及/或是可施以電場或磁場，產生直流、交流或脈衝形式對加工區進行處理；於其中，該化學機械研磨拋光製程可以是上述單一步驟的操作或組合。 This patent is a process method for chemical mechanical polishing. It is characterized in that the surface of the wafer or workpiece is processed by using microbubbles (fine bubbles) or micelles. The substances in the microbubbles or micelles can be gases, corrosive gases, plasma gases, nano/micro particles, etc. Micro bubbles are easy to burst in the liquid and generate instantaneous high temperature in a tiny area, as well as a series of high-density micro shock waves. The high temperature and high-density shock waves in small region facilitate a better surface treatment for wafer or workpiece. In a chemical mechanical polishing process, the processing area or the slurry can be further modified with plasma gas, solution plasma, electric or magnetic field.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址