非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

0088109799

專利證號

133404

專利獲證名稱

非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2001/05/16

技術說明

本發明係以射頻濺鍍法製備非晶形三氧化鎢薄膜之場效 型離子感測元件，此種以非晶形三氧化鎢為感測材料的 場效型離子感測元件，其結構為三氧化鎢/二氧化矽雙層 閘極結構，且在水溶液中有良好的感測靈敏度，特別是 在酸性緩衝溶液中有極佳的感測靈敏度，亦即在pH=l至 pH=5的量測範圍內，以非晶形三氧化鎢為感測膜的感測 元件，其感測靈敏度為50~58mV/pH，且感測線性度佳。 因此，在環保意識高漲之今日，以射頻濺鍍法製備的非 晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體，於水污染之檢測 中，具有極高的可行性與應用性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址