適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶體雙埠記憶單元電路 | 專利查詢

適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶體雙埠記憶單元電路


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/427,728

專利證號

6,118,689

專利獲證名稱

適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶體雙埠記憶單元電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2000/09/12

技術說明

適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶 體雙埠記憶單元電路

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945


版權所有 © 國家科學及技術委員會 National Science and Technology Council All Rights Reserved.
建議使用IE 11或以上版本瀏覽器,最佳瀏覽解析度為1024x768以上|政府網站資料開放宣告
主辦單位:國家科學及技術委員會 執行單位:財團法人中國生產力中心 網站維護:財團法人中國生產力中心