克服主體材料被過度侵蝕之微機電結構蝕刻製程及護具

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090125375

專利證號

168093

專利獲證名稱

克服主體材料被過度侵蝕之微機電結構蝕刻製程及護具

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2002/11/21

技術說明

在微機電系統技術之懸橋結構的製作上，通常會使用到蝕刻的技 術，然而在一般蝕刻的過程中，不論是濕蝕刻或是乾蝕刻，晶片往 往都必須整個暴露於蝕刻環境中；因此需成長罩幕，以得到所要之 結構；特別是在背面蝕刻（Back-side Etching）的製程中，由於晶 片的背面是欲蝕刻凹槽的圖樣，而正面則已有感測器的主體材料成 長於矽基板上，因此需雙面成長保護罩幕，以防止主體感測材料被 蝕刻液或乾蝕刻氣體侵蝕，導致元件的破壞，如此一來將增加製程 複雜性與困難度，及增加不必要之成本，因此如何在發展微機電系 統的同時，克服此項問題將是現今所面臨主要課題之一。本發明係 提供一種防止主體材料被蝕刻液或氣體侵蝕，導致元件破壞的新穎 製程，其優點除了可取代傳統整面成長保護罩幕等複雜技術外，尚 能於微機電系統中，因結構與製程之簡易而提高其良率 (Yield)。 在此在此發明中，吾人設計了一套機械性的單面蝕刻夾具，其目的 乃利用此單面蝕刻夾具，取代傳統罩幕以保護晶片，僅讓蝕刻液或 氣體侵蝕欲蝕刻凹槽的那一面，而不會破壞主體。吾人擬申請專利 之涵蓋範圍，為整個機械性單面蝕刻之方法與製程。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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