金屬-絕緣體-半導體電晶體式氫氣感測器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090132100

專利證號

168676

專利獲證名稱

金屬-絕緣體-半導體電晶體式氫氣感測器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2002/11/21

技術說明

本發明是在研製一種金屬-絕緣層-半導體(MIS)電晶體式氫氣感測 器。此結構利用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)或分子束磊晶法 (MBE)成長在半絕緣型半導體基板上，此元件之磊晶結構包含 5000Å~1mm未摻雜之半導體緩衝層，以及n型半導體主動層薄膜，其 濃度及厚度分別為1x1016~5x1017cm-3及1000~5000Å。.......

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址