利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器及其讀出電路於一單晶片上的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

009124266

專利證號

I 192756

專利獲證名稱

利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器及其讀出電路於一單晶片上的方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2002/12/01

技術說明

本發明提供一種利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器 及其讀出電路於一單晶片上的方法。其中，上述讀出電路藉由選擇開關的使用以減少晶片面 積，可達成多感測器與讀出電路之微小化，並降低成本。此電路相關結構，使用如下的標準 機體電路製程：0.5微米製程，雙多晶矽雙金屬，N型井技術，且製作時將感測器及讀出電路 整合於一單晶片上。

備註

本部(收文號1050019607)同意該校105年3月21日原產字第1050000809號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

(03)2651830

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