修飾電極、修飾電極的製備方法及其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111122246

專利證號

I 815503

專利獲證名稱

修飾電極、修飾電極的製備方法及其應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/09/11

技術說明

一種修飾電極的製備方法，用以解決習知電極經修飾過程中表面型態改變而降低靈敏度的問題。係包含：將一修飾成分與一兩性離子成分形成一偽離子交換膜修飾成分；該修飾成分具有多個奈米粒子，各該奈米粒子的淨表面電荷為正電或負電；該兩性離子成分具有多個兩性離子，該兩性離子之端部或中心帶有與該奈米粒子的淨表面電荷相反的電性，使該奈米粒子與該兩性離子間具有結合的親和性；使該偽離子交換膜修飾成分附著於一電極本體之一處，而形成對應的一修飾電極。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址