以四氟化碳（ＣＦ４）電漿及氧化二氮（Ｎ２０）電漿成長低溫超薄氧化層之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

089104347

專利證號

I 166707

專利獲證名稱

以四氟化碳（ＣＦ４）電漿及氧化二氮（Ｎ２０）電漿成長低溫超薄氧化層之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2002/08/21

技術說明

一種以四氟化碳(CF4)電漿及氧化二氮(N2O)電漿成長低溫超薄氧化層之方法，主要係利用四 氟化碳電漿在清潔過的晶片表面進行原生氧化層的清除動作，再利用氧化二氮電漿成長出低 溫超薄之氧化層。藉此方法所成長的氧化層較傳統技術成長的氧化層具有較小的漏電流、還 兼具高可靠度、高產速等特性，亦適合未來製程所需。本技術可適用於一般金氧半場效電晶 體的閘極薄氧化層製程上，亦適於低溫之薄膜電晶體的製造，以及動態隨機存取記憶體、非 揮發性記憶體的製造等廣泛用途。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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